【第一參賽人/留學人員】邢輝
【留學國家】美國
【技術領域】新材料
【參賽屆次】第7屆
【所獲獎項】入圍
【項目簡介】
中德第三代半導體材料項目由留德人員發起，聯合歐盟第三代半導體實驗室和西北工業大學、南京大學微電子學院、西安電子科技大學等國內外研究機構和知名專家，旨在研究第三代半導體材料SiC晶體生長、大規模制備及更新一代半導體材料Ga2O3，金剛石，AlN等；技術水平為國內領先，將可以較高成功率穩定產出4英寸和6英寸SiC單晶晶體，未來該技術發展方向為大尺寸SiC單晶制備生產批量成熟技術和前沿半導體技術。該成果可廣泛應用于新能源車、太陽能風能、充電樁、數據中心、電力電子、高鐵、電源、雷達、5G通信、航空航天、器人等領域。公司于2021年2月成功研制出陜西省第一塊6寸4H碳化硅晶體，4月研發出Ga2O3薄膜，目前在進一步優化工藝，即將開展大規模市場化應用！中德半導體將爭取在2023年實現晶圓和相關上下游營業額達到5000萬元，2023年達到銷售額一億，成長為西部寬禁帶半導體材料獨角獸。本項目核心團隊由國內晶體材料領域一流的專家學者組建專業化和國際化的技術、營銷和投融資團隊組成，以10多位從歐美學成歸國的博士團隊為核心，包括：晶體生長、半導體材料、微電子學、計算機仿真、機械、自動控制、MBA管理等專業。此外，本項目團隊還聘請德國和美國，日本長期從事 SiC 材料和有關設備的專家做技術顧問。
【展開】
【收起】